[发明专利]用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构

权利要求书

1.一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一P型有源区隔离；N型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各P型阱之间设有栅极；其特征在于：所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。

2.根据权利要求1所述的用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，其特征在于：所述多个P型阱之间被沟槽相互隔离；各沟槽内形成有栅氧化层，栅氧化层内填充有多晶硅栅，各沟槽内的栅氧化层及多晶硅栅构成所述栅极。

3.根据权利要求1所述的用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，其特征在于：所述多个P型阱之间被N型外延层相互隔离；各隔离区的上方有栅氧化层，栅氧化层的上方有多晶硅栅，各隔离区上方的栅氧化层及多晶硅栅构成所述栅极。