[发明专利]发射辐射的器件有效
| 申请号： | 201110340389.0 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102347417A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·格勒奇;扬·马费尔德;约尔格·埃里希·佐尔格;莫里茨·恩格尔;斯特芬·科勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种发射辐射的器件(8)，其具有：带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及带有表面(68，70)的覆盖元件(62)，其中在覆盖元件(62)的第一区段(64)中在表面(68，70)上设置有吸收性的和/或者反射性的层(72)，并且在覆盖元件(62)的第二区段(66)中，表面(68，70)没有吸收性的和/或反射性的层(72)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 器件 | ||
【主权项】：
一种发射辐射的器件(8)，其具有：‑带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及‑带有表面(68，70)的覆盖元件(62)，其中在覆盖元件(62)的第一区段(64)中在表面(68，70)上设置有吸收性的和/或者反射性的层(72)，并且在覆盖元件(62)的第二区段(66)中，表面(68，70)没有吸收性的和/或反射性的层(72)。
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