[发明专利]发射辐射的器件有效

专利信息
申请号: 201110340389.0 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN102347417A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 斯特凡·格勒奇;扬·马费尔德;约尔格·埃里希·佐尔格;莫里茨·恩格尔;斯特芬·科勒 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;李春晖
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发射 辐射 器件
【权利要求书】:

1.一种发射辐射的器件(8),其具有:

-带有有源区(12)的半导体层堆(10),该有源区构建用于发射电磁辐射(R);以及

-带有表面(68,70)的覆盖元件(62),其中在覆盖元件(62)的第一区段(64)中在表面(68,70)上设置有吸收性的和/或者反射性的层(72),并且在覆盖元件(62)的第二区段(66)中,表面(68,70)没有吸收性的和/或反射性的层(72)。

2.根据权利要求1所述的发射辐射的器件(8),其中在覆盖元件(62)的第二区段(66)的表面(68,70)之一上设置有防反射层(58),并且该防反射层构建为使得该防反射层对于预先给定的波长在关于表面(68,70)的法向量(N)的观察角(ALPHA)下、在40°到50°之间的范围中具有最小的反射,其中在该观察角的情况下电磁辐射(R)的区域性的光通量的增加具有最大值。

3.根据权利要求2所述的发射辐射的器件(8),其中在45°角的情况下反射最小。

4.根据权利要求1到3之一所述的发射辐射的器件(8),其中电磁辐射是初级电磁辐射(P),并且该器件带有与半导体层堆(10)机械耦合的转换层(40),该转换层(40)具有发光材料,该发光材料构建为用于将初级电磁辐射(P)的一部分转换为次级电磁辐射(S),

其中初级电磁辐射(P)的一部分与次级电磁辐射(S)的一部分叠加成具有所得到的色度坐标的混合辐射(M)。

5.根据权利要求4所述的发射辐射的器件(8),其中在覆盖元件(62)的第二区段(66)上设置有色彩校正层(48),该色彩校正层(48)带有至少两个相邻地设置的层(50,51),其中第一层(50)由具有第一折射率(N_1)的材料构成,第二层(51)由具有第二折射率(N_2)的材料构成,第一折射率(N_1)与第二折射率(N_2)不同,并且这些层(50,51)构建用于根据关于表面(68,70)的法向量(N)的观察角(ALPHA)来调节所得到的色度坐标。

6.根据权利要求5所述的发射辐射的器件(8),其中色彩校正层(48)构建为带有多个层(50,51,52,53,54,55,56)的层堆,并且这些层(50,51,52,53,54,55,56)设置为使得分别与层(50,51,52,53,54,55,56)之一相邻的两个层(50,51,52,53,54,55,56)具有如下的折射率:这些折射率二者都小于或大于相应的层(50,51,52,53,54,55,56)的折射率。

7.根据权利要求5所述的发射辐射的器件(8),其中防反射层(58)和色彩校正层(48)设置在覆盖元件(62)的第二区段(66)的两个彼此对置的表面(68,70)上。

8.根据权利要求1或3所述的发射辐射的器件(8),其中吸收性的和/或反射性的层(72)设置在覆盖元件(62)的第一区段(64)的外表面(68)上。

9.根据权利要求1或3所述的发射辐射的器件(8),其中吸收性的和/或反射性的层(72)设置在覆盖元件(62)的侧面区段(74)上。

10.根据权利要求1所述的发射辐射的器件(8),其中覆盖元件(62)的第二区段(66)具有两个部分区段(66a,66b),其主延伸方向朝着彼此倾斜。

11.根据权利要求10所述的发射辐射的器件(8),其中两个部分区段(66a,66b)的主延伸方向彼此形成150°到170°之间的角,其中包括边界值。

12.根据权利要求10或11所述的发射辐射的器件(8),其中覆盖元件(62)的第二区段(66)构建为车辆的前灯的遮光元件,其中该遮光元件构建为用作非对称的近光灯。

13.根据权利要求2、4和5所述的发射辐射的器件(8),其中转换元件(40)与防反射层(58)、色彩校正层(48)和覆盖元件(62)间隔地设置。

14.根据权利要求2或3所述的发射辐射的器件(8),其中防反射层(58)设置在覆盖元件(62)的第一区段(64)的外表面(68)上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110340389.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top