[发明专利]感光二极管及其制作方法

摘要

一种感光二极管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区；在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括：以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。本发明提供感光二极管制作方法，使感光二极管中光电子一次传输，提高成像质量。

主权项

一种感光二极管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区；其特征在于，在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括：以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同，在栅极结构边缘和侧墙底部区域的第一掺杂区中的部分离子扩散到栅介质层和侧墙时，所述离子注入区中的掺杂离子补充到所述第一掺杂区，使得所述栅极结构边缘和侧墙底部区域第一掺杂区中的掺杂离子的浓度相对于沟道区第一掺杂区中的掺杂离子的浓度不会减小；所述离子注入区形成过程为：形成覆盖所述第一掺杂区的阻挡层；图形化所述阻挡层，露出深掺杂区表面区域；以所述栅极结构和阻挡层为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成感光二极管的离子注入区。