[发明专利]感光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种感光二极管的制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；

在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；

在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；

形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；

以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区；

其特征在于，在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括：以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。

2.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成离子注入区离子注入的剂量范围为2～4E12/cm²，能量范围为20～40KeV。

3.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述离子注入区的掺杂类型为P型。

4.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成浅掺杂区离子注入的剂量范围为1～3E13/cm²，能量范围为20～40KeV。

5.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。

6.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述在半导体衬底内的形成阱区之后，还包括，在阱区内形成隔离结构。

7.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。

8.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。

9.一种感光二极管，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底内的阱区，位于阱区内的第一掺杂区；

位于第一掺杂区表面的栅极结构；

位于栅极结构一侧阱区内感光二极管的深掺杂区；

位于栅极结构两侧的侧墙；

位于栅极结构、侧墙一侧深掺杂区内的浅掺杂区；

其特征在于，还包括，位于深掺杂区内的离子注入区，所述离子注入区部分位于侧墙下方，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。

10.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述离子注入区的掺杂类型为P型。

11.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。

12.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。

13.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。