[发明专利]超分辨光盘的掩膜层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110334865.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102411941A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 赵石磊;耿永友;施宏仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/241;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种超分辨光盘的掩膜层及其制备方法，该掩膜层是Ag掺杂Si的复合薄膜，该复合薄膜中Si的含量为13.8mol％～15.3mol％，该掩膜层(I)厚度为30～50nm。该掩膜层采用共溅的方法制备，掩膜层中Si的成分与其它制备方法相比，易控，易调。该掩膜层用在超分辨光盘上测得的光盘的读出信号的载噪比高，环境稳定性好，可以满足未来超分辨光盘实用化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 分辨 光盘 掩膜层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超分辨光盘的掩膜层，其特点在于该掩膜层是Ag掺杂Si的复合薄膜，该复合薄膜中Si的含量为13.8mol％～15.3mol％，该掩膜层(I)厚度为30～50nm。
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