[发明专利]超分辨光盘的掩膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种超分辨光盘的掩膜层，其特点在于该掩膜层是Ag掺杂Si的复合薄膜，该复合薄膜中Si的含量为13.8mol％～15.3mol％，该掩膜层(I)厚度为30～50nm。

2.权利要求1所述的超分辨光盘的掩膜层的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①光盘盘片和靶材的安装：

将所述的光盘(II)刻有信息面的一面装在盘片托上对着靶材，然后将盘片托夹持在磁控溅射镀膜机的真空腔里的盘片座上；选定好溅射所用的Ag靶和Si靶并固定在磁控溅射镀膜机的真空腔里的靶基座上，调节好盘片座和靶材的位置和距离，关闭真空腔盖，开始抽真空，直至真空腔内压力小于4χ10^-4Pa；

②溅射Ag掺杂Si复合薄膜：

采用Ar气作为工作气体，通过气体流量计控制Ar气的流量为80sccm，同时调节磁控溅射仪闸板阀至工作气压为0.85Pa，分别调节磁控溅射仪的直流和射频电源，控制Ag靶和Si靶上的溅射功率，利用计算机控制程序控制溅射时间进行溅射，使复合薄膜中Si的含量为13.8mol％～15.3mol％，该掩膜层厚度为30～50nm；溅射完成后，依次关闭射频电源、气体流量计，打开闸板阀抽气10分钟后关闭闸板阀，放气，打开磁控溅射仪的真空腔，取出制备的具有单层Ag掺杂Si复合薄膜的盘片。