[发明专利]氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110333843.X | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102507531A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 师文生;王晓天;佘广为;穆丽璇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的纳米结构器件，特别涉及具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法，以及用这种基底进行溶液中联吡啶钌分子的检测。本发明利用电化学的方法，在ITO导电玻璃的表面制备出氧化锌纳米棒阵列，从而制备得到了具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 半导体 散射 增强 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底，其特征是：所述的拉曼散射增强基底是由分布在ITO导电玻璃表面的氧化锌纳米棒阵列构成。
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