[发明专利]氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底，其特征是：所述的拉曼散射增强基底是由分布在ITO导电玻璃表面的氧化锌纳米棒阵列构成。

2.根据权利要求1所述的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底，其特征是：所述的氧化锌纳米棒阵列中的氧化锌纳米棒的直径为100nm～300nm，氧化锌纳米棒的长度为2μm～4μm。

3.一种根据权利要求1或2所述的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底的制备方法，其特征是：该方法包括以下步骤：

1)清洗ITO导电玻璃，晾干；

2)配制锌盐的水溶液作为电解液，其中，电解液中锌盐的浓度为5～100mM；

3)在标准三电极体系中，将步骤2)配制的电解液倒入电解池中，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以步骤1)晾干的ITO导电玻璃作为工作电极；水浴加热电解池，维持电解池中的电解液的温度为70～90℃，给上述的工作电极施加相对于上述的参比电极为-0.8～-1.6V的电位，反应完成后，在导电基底上制备出氧化锌纳米棒阵列，得到所述的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤2)所述的锌盐为醋酸锌。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤3)所述的反应的时间为4～6小时。

6.一种根据权利要求1或2所述的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底的应用，其特征是：利用氧化锌纳米棒与联吡啶钌分子间的范德华力，在通过物理修饰的方法，将目标分子联吡啶钌分子物理吸附到氧化锌纳米棒表面后，氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底在检测溶液中浓度为10^-7mol/L～10^-5mol/L的联吡啶钌分子时，拉曼散射增强基底上的联吡啶钌分子的拉曼特征峰强度和检测溶液浓度都取对数，绘制检测溶液浓度和拉曼散射增强基底上的联吡啶钌分子拉曼特征峰强度都取对数后的线性定标曲线，应用定标曲线检测未知溶液中联吡啶钌分子的浓度。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征是，所述的应用定标曲线检测未知溶液中联吡啶钌分子的浓度的检测方法是：将氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底作为拉曼检测基底，以无水乙醇作为溶剂配制浓度为10^-7mol/L～10^-5mol/L的联吡啶钌溶液，将所述的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底浸泡在上述浓度的联吡啶钌溶液中5小时，取出后清洗干净，再用惰性气体吹干后做拉曼检测；用检测出的拉曼特征峰强度，从绘制出的定标曲线的图上，读出未知溶液中联吡啶钌分子的浓度。