[发明专利]含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板有效

专利信息
申请号: 201110332455.X 申请日: 2011-10-27
公开(公告)号: CN103087087A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 林宏;姜学松;印杰;锻治诚 申请(专利权)人: 上海交通大学;日立化成工业株式会社
主分类号: C07F7/21 分类号: C07F7/21;G03F7/004;G03F7/027;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 冯雅
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺,(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n    (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH,m表示3~12的整数;R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基,所述取代基为卤素,n表示1~12的整数;该组合物是一种高憎水性光刻胶,将其应用于纳米压印模板的制备中,会得到高精度的结构,提高了模板重复利用率。
搜索关键词: 巯基 官能团 低倍多聚硅氧烷 化合物 及其 组合 压印 模板
【主权项】:
一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物,(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n    (1)其中R1为‑CH2‑CH2‑CH2‑SH,m表示3~12的整数;R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基,所述取代基为卤素原子或硅原子,n表示1~12的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;日立化成工业株式会社,未经上海交通大学;日立化成工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110332455.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top