[发明专利]防水膜的形成方法、防水膜、喷墨头的喷嘴板有效
| 申请号： | 201110330981.2 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102555326A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 新川高见 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;C23C14/12;B41J2/01 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成防水膜的方法，包括：薄膜形成步骤，其使用在常温和大气压下为气体的原材料在基础部件上形成薄膜，该薄膜主要具有Si-O键并且具有直接与硅结合的疏水性取代基；照射步骤，其中用激发光照射在所述薄膜形成步骤中获得的所述薄膜，使得所述疏水性取代基保留并且所述薄膜中存在OH基；和施加步骤，其中将硅烷偶联剂施加到所述照射步骤中获得的所述薄膜上。该方法能够廉价地制造防水膜，而不需要包括昂贵热蒸发器的等离子聚合装置。本发明还涉及由该方法形成的防水膜、以及形成有该防水膜的喷墨头的喷嘴板。 | ||
| 搜索关键词： | 防水 形成 方法 喷墨 喷嘴 | ||
【主权项】：
一种形成防水膜的方法，该方法包括：薄膜形成步骤，其中使用在常温和大气压下为气体的原材料在基础部件上形成薄膜，该薄膜主要具有Si‑O键并且具有直接与硅结合的疏水性取代基；照射步骤，其中用激发光照射在所述薄膜形成步骤中获得的所述薄膜，使得所述疏水性取代基保留并且所述薄膜中存在OH基；和施加步骤，其中将硅烷偶联剂施加到所述照射步骤中获得的所述薄膜上。
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