[发明专利]一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110328769.2 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102354707A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨文韬;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用离子注入、沉积或热生长方法或直接使用部分SOI硅片，在P型基区和N-漂移区之间的界面处设置一层隔离介质层，阻断N-漂移区中的空穴电流经过P型基区流进N型源区的电流通路，可以有效防止IGBT结构中寄生NPN晶体管的开启，避免IGBT中NPNP结构所导致的闩锁效应，从而提高器件的电流承载能力，提供更大的安全工作区。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管可适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗闩锁 效应 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的P型基区(7)和N‑型漂移区(3)之间的界面处具有一层介质隔离层(11)。
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