[发明专利]用于单图案化间隔件技术的RC提取有效
| 申请号： | 201110325769.7 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102682143A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄正仪;赵孝蜀;郑仪侃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种方法，包括利用电子设计自动化工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局。布局布线操作由多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范。在利用RC提取工具的EDA工具中模拟虚拟导电填充图案，以预测将被添加至光掩模的最初布局中的虚拟导电填充图案的位置和尺寸。基于最初布局和模拟的虚拟导电填充图案，在EDA工具中执行电路图案的RC时序分析。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 间隔 技术 rc 提取 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：利用布局布线电子设计自动化(EDA)工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局，所述布局布线操作通过多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范；利用所述布局布线EDA工具中的RC提取工具模拟虚拟导电填充图案，以预测将要被添加至所述光掩模的所述最初布局中的虚拟导电填充图案的位置和尺寸；以及在所述布局布线EDA工具中执行所述电路图案的RC时序分析，基于所述最初布局和所述模拟的虚拟导电填充图案，执行所述RC时序分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110325769.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
