[发明专利]一种提高硅片减薄后机械强度的方法无效
| 申请号： | 201110324421.6 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102420157A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;宋斌;陈星 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高硅片减薄后机械强度的方法，具体为：首先在硅片的一表面旋转涂覆一层高分子聚合物并加温固化，再将高分子聚合物层与托盘粘接，然后对硅片减薄和掩膜，在硅片的减薄面上旋转涂覆上另一层高分子聚合物并加温固化，最后分离硅片与托盘。本发明将两层高分子聚合物先后分别涂覆在减薄的硅片的两面，使硅片在高分子聚合物薄膜的保护下脆性降低，以利于以后各道工序的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 减薄后 机械 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高硅片减薄后机械强度的方法，包括如下步骤：(1)在硅片的一表面旋转涂覆一层高分子聚合物并加温固化；(2)将高分子聚合物层与托盘粘接；(3)对硅片减薄和掩膜；(4)在硅片的减薄面上旋转涂覆上另一层高分子聚合物并加温固化；(5)分离硅片与托盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
