[发明专利]半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201110314139.X | 申请日： | 2008-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102361016A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 畠山惠一;中村祐树 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B23K26/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，所述制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用粘接膜 以及 芯片 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体用粘接膜，其具有1～15μm范围的厚度，具有小于5％的拉伸断裂伸长率，且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，其用于带粘接膜半导体芯片的制造方法，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带依此顺序层叠，其中，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将所述切割带沿所述多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将所述多个半导体芯片分别沿所述层叠体的层叠方向拾起，从而分割所述半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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