[发明专利]半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法

说明书

本申请是200880110812.4(国际申请号：PCT/JP2008/068236)的分案 申请，原申请的申请日为2008年10月07日，发明名称为“带粘接膜半导体 芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的 制造方法”。

技术领域

本发明涉及带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半 导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

目前，半导体芯片与半导体芯片搭载用支撑部件的接合主要使用银糊 剂。然而，伴随着半导体芯片的小型化、高性能化以及所使用的支撑部件 的小型化、精密化，在使用银糊剂的方法中，凸显出由于糊剂的溢出或半 导体芯片的偏斜而引起的焊线时产生不便、粘接剂层的膜厚难以控制及粘 接剂层产生空隙等问题。另外，在小型化、高密度化要求高的便携设备等 领域，正在开发、批量生产内部层叠有多个半导体芯片的半导体装置，但 制造这样的半导体装置时，尤其容易凸显出上述问题。因此，近年来已开 始使用膜状的粘接剂(以下称为半导体用粘接膜)代替银糊剂。

作为使用半导体用粘接膜制造半导体装置的方法，有：(1)单片粘贴 方式，在带配线基材等半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上粘贴裁 成任意的尺寸的半导体用粘接膜，在其上热压接半导体芯片；及(2)晶片 背面粘贴方式，在半导体晶片的背面上粘贴半导体用粘接膜厚后，用旋转 刀将其单片化，得到带粘接膜的半导体芯片，将带粘接膜的半导体芯片热 压接在半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上。近年来，为了谋求半 导体装置制造工序的简化，上述(2)的晶片背面粘贴方式成为主流。

如上所述，在晶片背面粘贴方式中，一般是用旋转刀将粘贴有半导体 用粘接膜的半导体晶片切断。但是，当利用使用旋转刀的一般的切割方法 同时切断半导体晶片和粘接膜时，存在在切断后的半导体芯片侧面产生裂 纹(芯片裂纹)或在切断面上粘接膜起毛而产生许多毛刺这样的问题。如果 存在这种芯片裂纹或毛刺，则在拾起半导体芯片时，半导体芯片容易破裂。 尤其是难以无破裂地从薄型化的半导体晶片中拾起单片化的半导体芯片。

因此，近年来，作为切割半导体晶片的方法，提出了通过对半导体晶 片照射激光而在半导体晶片内部选择性地形成改性部，并沿改性部切断半 导体晶片的称为隐形切割(Stealth Dicing)的方法(例如，参照专利文献1、2)。 在该方法中，例如，将形成有改性部的半导体晶片粘贴在切割带上，通过 拉伸切割带对半导体晶片施加应力，从而沿着改性部将半导体晶片分割为 多个半导体芯片。

专利文献1：日本特开2002-192370号公报

专利文献2：日本特开2003-338467号公报

然而，仅用芯片接合机(Die Bonder)装置的扩展结构难以将半导体用 粘接膜完全分割，要分割半导体用粘接膜还需要另外的扩展装置。因此， 即使是隐形切割方式，为了兼顾半导体装置的制造中的组装性和可靠性， 在粘接膜的分割性方面也需要进一步的改善。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供带粘接膜半导体芯 片的制造方法及优选用于该带粘接膜半导体芯片的制造方法的半导体用 粘接膜、以及可兼顾组装性和可靠性的半导体装置的制造方法，其中，所 述带粘接膜半导体芯片的制造方法在由半导体晶片高成品率地得到半导 体芯片的同时，可以得到粘贴有毛刺非常少、与半导体芯片大致为同一形 状的粘接膜的带粘接膜半导体芯片。

为解决上述课题，本发明的带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下 工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以 所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小 于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的 110％，半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为 多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉 伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个 半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾 起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。