[发明专利]硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法无效
| 申请号： | 201110313678.1 | 申请日： | 2011-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103048297A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘小宇;薛永胜;丁叶飞;李红波;张滢清 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，通过包含有LED光源激发机构、激光器激发机构、红外成像机构和计算机的硅片缺陷检测装置实施。该方法包括以下步骤：A、设置LED光源激发机构的发光强度，或设置激光器激发机构的发光强度；B、待测硅片或硅太阳电池片在LED光源或激光器发出的光的激发下发出特定波长的发光信号；C、红外成像机构检测待测硅片或硅太阳电池片发出的特定波长的发光信号；D、红外成像机构将发光信号传输到计算机，由计算机内安装的图像采集、图像处理及数据分析软件得出待测硅片的缺陷参数。本发明的方法能方便快速地检测出硅片及硅太阳电池片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且实现了无接触检测，具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 太阳电池 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，其特征在于：该方法通过硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置实施，硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置包括LED光源激发机构、激光器激发机构、红外成像机构和计算机；LED光源激发机构设置在待检测硅片或硅太阳电池片的正下方，激光器激发机构设置在待检测硅片的斜上方，红外成像机构设置在待检测硅片的正上方，计算机与红外成像机构电信号相连；所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法包括以下步骤：A、设置LED光源激发机构的发光强度，或设置激光器激发机构的发光强度；B、待测硅片或硅太阳电池片在LED光源或激光器发出的光的激发下发出特定波长的发光信号；C、红外成像机构检测待测硅片或硅太阳电池片发出的特定波长的发光信号；D、红外成像机构将发光信号传输到计算机，由计算机内安装的图像采集、图像处理及数据分析软件得出待测硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海太阳能工程技术研究中心有限公司，未经上海太阳能工程技术研究中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110313678.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
