[发明专利]硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法无效
| 申请号： | 201110313678.1 | 申请日： | 2011-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103048297A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘小宇;薛永胜;丁叶飞;李红波;张滢清 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 太阳电池 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，其特征在于：该方法通过硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置实施，硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置包括LED光源激发机构、激光器激发机构、红外成像机构和计算机；LED光源激发机构设置在待检测硅片或硅太阳电池片的正下方，激光器激发机构设置在待检测硅片的斜上方，红外成像机构设置在待检测硅片的正上方，计算机与红外成像机构电信号相连；所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法包括以下步骤：
A、设置LED光源激发机构的发光强度，或设置激光器激发机构的发光强度；
B、待测硅片或硅太阳电池片在LED光源或激光器发出的光的激发下发出特定波长的发光信号；
C、红外成像机构检测待测硅片或硅太阳电池片发出的特定波长的发光信号；
D、红外成像机构将发光信号传输到计算机，由计算机内安装的图像采集、图像处理及数据分析软件得出待测硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。
2.如权利要求1所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，其特征在于：所述的LED光源激发机构包括LED光源和第一光源电源，在LED光源前端设有第一滤光片，LED光源与第一滤光片连成一体设置在硅片的下方，LED光源将发出的光通过第一滤光片处理成特定波长的发光信号投射到硅片或硅太阳电池片上激发硅片或硅太阳电池片发光，第一光源电源与LED光源相连向LED光源提供电能并控制其发光强度。
3.如权利要求1所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，其特征在于：所述的激光器激发机构包括激光器和第二光源电源，激光器设置在硅片的斜上方，激光器将发出的光投射到硅片上激发硅片发光，第二光源电源与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。
4.如权利要求1所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，其特征在于：所述的红外成像机构前端设有第二滤光片。
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