[发明专利]一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110309838.5 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102306657A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张金平;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 浮空埋层绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统IGBT器件结构的基础上，在器件具有第一导电类型的漂移区内引入一到多层连续或不连续的第二导电类型浮空埋层，通过第二导电类型浮空埋层引入的空间电荷及附加电场的调制作用，在第一导电类型的漂移区内引入新的电场尖峰，在相同的器件漂移区厚度下，可大大提高IGBT器件的击穿电压；在一定的击穿电压下，可大大减小IGBT器件漂移区的厚度，从而大大减小器件的正向导通压降和关断时间。同时浮空埋层引入的空间电荷的作用，可抑制器件关断时的雪崩击穿，提高IGBT器件的动态击穿电压和反向安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 浮空埋层 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的第一导电类型的漂移区(14)内具有第二导电类型的埋层(22)。
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