[发明专利]一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110309838.5 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102306657A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张金平;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 浮空埋层 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
1.一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的第一导电类型的漂移区(14)内具有第二导电类型的埋层(22)。
2.根据权利要求1所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)形状为方形、条形、三角形、梯形、圆形或椭圆形。
3.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)为单层连续结构。
4.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)为单层非连续结构。
5.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)为间隔的多层连续结构。
6.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)为间隔的多层非连续结构。
7.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)在传统IGBT工艺开始之前，在第一导电类型衬底材料上通过两步扩散工艺获得。
8.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述埋层(22)在传统IGBT工艺开始之前，通过离子注入或扩散等方式在第一导电类型的衬底表面形成一层第二导电类型的材料层，然后在此衬底表面通过外延等工艺再生长一层第一导电类型的材料层而获得。
9.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极为电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。
10.根据权利要求1或2所述的具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极为平面型栅或沟槽型栅。
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