[发明专利]死区增强保护高速互补开关驱动电路

摘要

本发明涉及集成电路中信号驱动技术领域，具体为一种高速互补开关信号驱动电路，其具有死区增强保护结构。该高速互补开关信号驱动电路由互补信号产生电路和死区增强保护电路连接得到，可以保证互补开关输出电流的连续性，同时由于单管的翻转速度也较N-P两个MOS管的状态同时翻转要快，电路具有更高的工作速度。

主权项

死区增强保护高速互补开关驱动电路，其特征是包括：互补信号产生电路和死区增强保护电路；死区增强保护高速互补开关驱动电路输入信号(Vin)为没有驱动能力的数字逻辑信号，经所述互补信号产生电路转换成互补的驱动信号；然后死区增强保护电路将所述互补的驱动信号转换为具有死区时间保护的开关驱动信号；所述互补信号产生电路由9个反相器连接构成，电路连接关系是：第一反相器(a)输入端连接到死区增强保护高速互补开关驱动电路输入信号(Vin)，第一反相器(a)输出端连接到第二反相器(b)的输入端；第二反相器(b)输出端连接到第三反相器(c)和第五反相器(e)的输入端以及第四反相器(d)的输出端；第三反相器(c)输出端连接到互补信号产生电路的反相信号输出端(Dn)，同时还连接到第七反相器(g)的输入端以及第六反相器(f)的输出端；第八反相器(h)输入端连接到死区增强保护高速互补开关驱动电路输入信号(Vin)，第八反相器(h)输出端连接到第九反相器(i)的输入端和第五反相器(e)的输出端以及第四反相器(d)的输入端；第九反相器(i)输出端连接到互补信号产生电路的同相信号输出端(D)，同时还连接到第七反相器(g)的输出端以及第六反相器(f)的输入端；所述死区增强保护电路包括第一NMOS晶体管(M1A)、第二PMOS晶体管(M1B)、第三NMOS晶体管(M1C)、第四PMOS晶体管(M1D)、第五NMOS晶体管(M2A)、第六PMOS晶体管(M2B)、第七NMOS晶体管(M2C)和第八PMOS晶体管(M2D)，电路连接关系是：第一NMOS晶体管(M1A)的栅极连接到互补信号产生电路的反相信号输出端(Dn)，第一NMOS晶体管(M1A)源极连接到地，第一NMOS晶体管(M1A)漏极连接到第三NMOS晶体管(M1C)的源极和第四PMOS晶体管(M1D)的漏极；第二PMOS晶体管(M1B)的栅极连接到互补信号产生电路的反相信号输出端(Dn)，第二PMOS晶体管(M1B)源极连接到电源，第二PMOS晶体管(M1B)漏极连接到第三NMOS晶体管(M1C)的漏极和第四PMOS晶体管(M1D)的源极；第三NMOS晶体管(M1C)栅极和第四PMOS晶体管(M1D)栅极也连接到互补信号产生电路的反相信号输出端(Dn)；第五NMOS晶体管(M2A)栅极连接到互补信号产生电路的同相信号输出端(D)，第五NMOS晶体管(M2A)源极连接到地，第五NMOS晶体管(M2A)漏极连接到第七NMOS晶体管(M2C)的源极和第八PMOS晶体管(M2D)的漏极；第六PMOS晶体管(M2B)的栅极连接到互补信号产生电路的同相信号输出端(D)，第六PMOS晶体管(M2B)源极连接到电源，第六PMOS晶体管(M2B)漏极连接到第七NMOS晶体管(M2C)的漏极和第八PMOS晶体管(M2D)的源极；第七NMOS晶体管(M2C)栅极和第八PMOS晶体管(M2D)栅极也连接到互补信号产生电路的同相信号输出端(D)。