[发明专利]包括功率二极管的集成电路无效
| 申请号： | 201110306850.0 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102354685A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 保罗·常;基恩-川·车尔恩;普罗扬·高希;韦恩·Y·W·赫;弗拉基米尔·罗多夫 | 申请（专利权）人： | 迪奥代斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/265;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;李春晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在半导体本体中制造集成了功率二极管的集成电路的方法和一种半导体集成电路。该方法包括：在半导体衬底的表面层中形成器件区，其中，器件区由硅壁以及与半导体衬底相邻的衬底层来限定，衬底层具有与表面层的导电类型不同的导电类型；围绕器件区形成电介质材料；形成与器件区绝缘的集成电路区；在集成电路区中制造集成电路，其中，集成电路包括晶体管；在器件区中制造多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件；在器件区中形成与该多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件接触的第一二极管电极；以及形成从器件区的表面到与衬底层相同导电类型的半导体材料的导电通孔，作为第二二极管电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功率 二极管 集成电路 | ||
【主权项】：
一种在半导体本体中制造集成了功率二极管的集成电路的方法，包括如下步骤：在半导体衬底的表面层中形成器件区，其中，所述器件区由硅壁以及与所述半导体衬底相邻的衬底层来限定，所述衬底层具有与所述表面层的导电类型不同的导电类型；围绕所述器件区形成电介质材料；形成与所述器件区绝缘的集成电路区；在所述集成电路区中制造集成电路，其中，所述集成电路包括晶体管；在所述器件区中制造多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件；在所述器件区中形成与所述多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件接触的第一二极管电极；以及形成从所述器件区的表面到与所述衬底层相同导电类型的半导体材料的导电通孔，作为第二二极管电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
