[发明专利]短波长光探测器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110304722.2 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102651422A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种短波长光探测器，包括：玻璃基板；保护层，形成在玻璃基板上，并完全覆盖玻璃基板，该层由无机绝缘材料形成；源电极、漏电极和数据扫描线，分别形成在保护层上；半导体层，形成在源电极和漏电极之间，并覆盖部分源电极和漏电极，该层由宽禁带宽度金属氧化物半导体形成；绝缘层，形成在保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线上，并完全覆盖保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线，该层由绝缘材料形成。相应地，提供一种短波长光探测器的制造方法。本发明所提供的短波长光探测器可有效地、稳定地、灵敏地检测环境中低于400nm的短波长的光。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种短波长光探测器，包括：玻璃基板；保护层，形成在玻璃基板上，并完全覆盖玻璃基板，该层由无机绝缘材料形成；源电极、漏电极和数据扫描线，分别形成在保护层上；半导体层，形成在源电极和漏电极之间，并覆盖部分源电极和漏电极，该层由宽禁带宽度金属氧化物半导体形成；绝缘层，形成在保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线上，并完全覆盖保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线，该层由绝缘材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
