[发明专利]短波长光探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种短波长光探测器，包括：

玻璃基板；

保护层，形成在玻璃基板上，并完全覆盖玻璃基板，该层由无机绝缘材料形成；

源电极、漏电极和数据扫描线，分别形成在保护层上；

半导体层，形成在源电极和漏电极之间，并覆盖部分源电极和漏电极，该层由宽禁带宽度金属氧化物半导体形成；

绝缘层，形成在保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线上，并完全覆盖保护层、源电极、漏电极、半导体层和数据扫描线，该层由绝缘材料形成。

2.根据权利要求1所述的短波长光探测器，其特征在于，所述保护层厚度为所述无机绝缘材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。

3.根据权利要求1所述的短波长光探测器，其特征在于，所述源电极和漏电极为透明金属电极或非透明金属电极，厚度为

4.根据权利要求1所述的短波长光探测器，其特征在于，所述半导体层厚度为所述宽禁带宽度金属氧化物为非晶氧化铟镓锌。

5.根据权利要求1所述的短波长光探测器，其特征在于，所述绝缘层厚度为所述绝缘材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。

6.一种短波长探测器的制造方法，包括：

步骤1、在玻璃基板上连续沉积由无机绝缘材料形成的保护层，并在保护层上依次沉积源金属层和漏金属层，然后通过第一次构图工艺形成源电极、漏电极和数据扫描线；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积由宽禁带宽度金属氧化物半导体形成的半导体层，并通过第二次构图工艺形成半导体层；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积由绝缘材料形成的绝缘层，并通过第三次构图工艺形成绝缘层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤1中，通过等离子体增强化学气相沉积法连续沉积厚度为的保护层，所述无机绝缘材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤1中，通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度为的源金属层和漏金属层，所述源金属层和漏金属层的材料为氧化铟锡或其它的金属或金属氧化物。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤2中，通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度为的半导体层，所述宽禁带宽度金属氧化物为非晶氧化铟镓锌。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤3中，通过等离子体增强化学气相沉积法连续沉积厚度为的绝缘层，所述绝缘材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。