[发明专利]半导体元件安装用基板的制造方法有效
| 申请号： | 201110303104.6 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446774A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 细樅茂;有马博幸 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高电极层与树脂之间的密合性的半导体元件安装用基板的制造方法。该制造方法包括以下依次进行的工序：利用感光波长不同的抗蚀剂在金属板正面形成由下层和上层构成的2层抗蚀剂层的工序；在上述下层的抗蚀剂层未曝光的状态下对上述上层的抗蚀剂层按照规定的图案进行曝光的工序；在上述上层的抗蚀剂层上按照规定的图案形成开口部，从该开口部将未曝光的上述下层的抗蚀剂层按照上述上层的抗蚀剂层的图案形成开口部，并使上述金属板正面局部暴露出的显影工序；对上述下层的抗蚀剂层进行曝光使其固化的工序；在从上述下层的抗蚀剂层暴露出的上述金属板正面形成规定的镀层的工序；将上述由下层和上层构成的2层抗蚀剂层全部剥离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 安装 用基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件安装用基板的制造方法，其特征在于，该半导体元件安装用基板的制造方法包括以下依次进行的工序：利用感光波长不同的抗蚀剂在金属板正面形成由下层和上层构成的2层抗蚀剂层的工序；在上述下层的抗蚀剂层未曝光的状态下对上述上层的抗蚀剂层按照规定的图案进行曝光的工序；在上述上层的抗蚀剂层上按照规定的图案形成开口部，从该开口部将未曝光的上述下层的抗蚀剂层按照上述上层的抗蚀剂层的图案形成开口部，并使上述金属板正面局部暴露出的显影工序；对上述下层的抗蚀剂层进行曝光使其固化的工序；在从上述下层的抗蚀剂层暴露出的上述金属板正面形成规定的镀层的工序；将上述由下层和上层构成的2层抗蚀剂层全部剥离的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
