[发明专利]一种SDRAM桥接电路有效
申请号: | 201110302138.3 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102522113A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 魏先锋;王斐昊 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种SDRAM桥接电路。该电路包括第一模块,第二模块和PHY模块;其中,第一模块解析控制器送来的SDRAM访问命令,第二模块把SDRAM访问命令转换为PHY模块可接受的命令,PHY模块利用所述PHY模块可接受的命令访问存储器,其中存储器和控制器具有不同的SDRAM类型。本发明可以让SDRAM控制器通过该桥接电路,实现对DDR3 SDRAM的访问,进行数据存取;相比更换或重新开发集成SDRAM控制器的芯片,电路改动小,开发周期短,成本低,而且与原有系统很好的兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 sdram 电路 | ||
【主权项】:
一种SDRAM桥接电路,其特征在于包括第一模块,第二模块和PHY模块;其中,第一模块解析控制器送来的SDRAM访问命令,第二模块把SDRAM访问命令转换为PHY模块可接受的命令,PHY模块利用所述PHY模块可接受的命令访问存储器,其中存储器和控制器具有不同的SDRAM类型。
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