[发明专利]一种SDRAM桥接电路有效

专利信息
申请号: 201110302138.3 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN102522113A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 魏先锋;王斐昊 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人: 陈霁
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种SDRAM桥接电路。该电路包括第一模块,第二模块和PHY模块;其中,第一模块解析控制器送来的SDRAM访问命令,第二模块把SDRAM访问命令转换为PHY模块可接受的命令,PHY模块利用所述PHY模块可接受的命令访问存储器,其中存储器和控制器具有不同的SDRAM类型。本发明可以让SDRAM控制器通过该桥接电路,实现对DDR3 SDRAM的访问,进行数据存取;相比更换或重新开发集成SDRAM控制器的芯片,电路改动小,开发周期短,成本低,而且与原有系统很好的兼容。
搜索关键词: 一种 sdram 电路
【主权项】:
一种SDRAM桥接电路,其特征在于包括第一模块,第二模块和PHY模块;其中,第一模块解析控制器送来的SDRAM访问命令,第二模块把SDRAM访问命令转换为PHY模块可接受的命令,PHY模块利用所述PHY模块可接受的命令访问存储器,其中存储器和控制器具有不同的SDRAM类型。
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