[发明专利]半导体封装结构及其制法有效
| 申请号： | 201110300182.0 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102956589A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 胡迪群;胡玉山 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/367;H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构及其制法，该半导体封装结构包括半导体芯片、封装层、介电层、线路层与金属箔，该半导体芯片具有相对的作用面与非作用面、形成于该作用面上的多个电极垫、及多个形成于各该电极垫上的金属凸块，该封装层包覆该半导体芯片，并外露该作用面，该介电层设于该作用面与封装层上，且具有多个外露各该金属凸块的布线图案开口区，该线路层设于各该布线图案开口区中，该金属箔设于该封装层邻近该非作用面的表面上，且该金属箔的一表面上具有多个金属突起部，各该金属突起部贯穿该封装层以延伸至该半导体芯片的非作用面。本发明能有效改善现有半导体封装结构的厚度过厚与可靠度不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，包括：半导体芯片，其具有相对的作用面与非作用面、形成于该作用面上的多个电极垫及多个形成于各该电极垫上的金属凸块；封装层，其包覆该半导体芯片，并外露该作用面；介电层，其形成于该作用面及与该作用面同侧的封装层的表面上，且具有多个外露各该金属凸块的布线图案开口区；线路层，其形成于各该布线图案开口区中，且电性连接该金属凸块，该线路层延伸至形成于与该作用面同侧的封装层的表面上的介电层上；绝缘保护层，其形成于该介电层与线路层上，且具有多个绝缘保护层开孔，以外露部分该线路层；以及金属箔，其设于与该非作用面同侧的该封装层的表面上，且该金属箔的一表面上具有多个金属突起部，各该金属突起部贯穿该封装层以延伸至该半导体芯片的非作用面，以使该半导体芯片所产生的热传递至环境中。
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