[发明专利]CdSe/CdS量子点敏化TiO2纳米管复合膜的制备方法无效
申请号: | 201110297349.2 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102352494A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 杜荣归;张娟;林泽泉;朱燕峰;林昌健 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C23C18/00 | 分类号: | C23C18/00;C25D11/26 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | CdSe/CdS量子点敏化TiO2纳米管复合膜的制备方法,涉及一种纳米管复合膜。以钛箔作为基体;将氟化铵溶解在去离子水中,加入丙三醇,进行阳极氧化后煅烧;首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积CdS量子点,分别以Cd(NO3)2乙醇溶液和Na2S甲醇溶液为反应溶液,先把TiO2纳米管阵列膜样品在含Cd2+的乙醇溶液中浸泡后,再用乙醇冲洗;然后,把样品于含S2-的甲醇溶液中浸泡,再用乙醇冲洗,即制得CdS/TiO2复合膜;将制得的CdS/TiO2复合膜放在由Na2SeSO3、Cd(NO3)2和Na3NTA溶液组成的混合溶液中,进行沉积反应,得CdSe/CdS量子点敏化TiO2纳米管复合膜。 | ||
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【主权项】:
CdSe/CdS量子点敏化TiO2纳米管复合膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)以钛箔作为基体,预处理后得钛基体试样;2)将氟化铵溶解在去离子水中,加入丙三醇,以铂作对电极,对钛基体试样进行阳极氧化后,煅烧,随炉冷却至室温;3)采用化学沉积方法,首先在步骤2)得到的TiO2纳米管阵列膜表面沉积CdS量子点,分别以Cd(NO3)2乙醇溶液和Na2S甲醇溶液为反应溶液,先把TiO2纳米管阵列膜样品在含Cd2+的乙醇溶液中浸泡后,再用乙醇冲洗;然后,把样品于含S2‑的甲醇溶液中浸泡,再用乙醇冲洗,即制得CdS/TiO2复合膜;将制得的CdS/TiO2复合膜放在由Na2SeSO3、Cd(NO3)2和Na3NTA(氮川三乙酸三钠)溶液组成的混合溶液中,进行沉积反应,得CdSe/CdS量子点敏化TiO2纳米管复合膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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