[发明专利]一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201110296847.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102503377A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张金利 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法，涉及高可靠多层陶瓷封装外壳制作领域，所用原料按质量百分比由以下物质组成：玻璃粉15%～25% 着色剂5%～15% 余量为氧化铝粉料。制备方法为：（1）将原料中各组分制成0.5～0.7微米粉状并混合均匀；（2）成型；（3）成型后在N2:H2=1:1～3气氛中进行烧结，烧结温度为1200～1300℃，氮气与氢气的比例为体积比。本发明的陶瓷材料机械强度高，烧结温度较低，可以使用铜-钨作为配套的导体材料，其电导率大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 半导体 封装 陶瓷材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于：原料按质量百分比由以下物质组成：玻璃粉15%～25% 着色剂5%～15% 余量为氧化铝粉料；原料中氧化铝粉料的含量不低于70%；着色剂由TiO2和Cr2O3组成。
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