[发明专利]一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201110296847.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102503377A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张金利 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强度 半导体 封装 陶瓷材料 及其 制作方法 | ||
1.一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于：原料按质量百分比由以下物质组成：玻璃粉15%～25% 着色剂5%～15% 余量为氧化铝粉料；原料中氧化铝粉料的含量不低于70%；着色剂由TiO2和Cr2O3组成。
2.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，所述氧化铝粉料为α相，纯度大于99.9%，粉体粒度小于1μm，比表面积为3～10m2/g。
3.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，玻璃粉中各个物质的质量比为：Li2O：SiO2：MgO：MnO2：Y2O3=0.5～1.5:2～6:1～3:1～4:0.5～1.5。
4.如权利要求1或3所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，玻璃粉中各个物质的质量比为：Li2O：SiO2：MgO：MnO2：Y2O3=1:4:2:3:1。
5.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，着色剂中各个物质的质量比为：TiO2：Cr2O3=0.5～1.5: 0.5～1.5。
6.如权利要求1或5所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，着色剂中各个物质的质量比为：TiO2：Cr2O3=1:1。
7.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，原料中玻璃粉与着色剂的质量比为2:1。
8.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，原料中玻璃粉与着色剂的质量比为3:1。
9.如权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料，其特征在于，原料中玻璃粉与着色剂的质量比为1:1。
10.权利要求1所述的一种高强度半导体封装陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将原料中各组分制成0.5～0.7微米粉状并混合均匀；（2）成型；（3）成型后在氮气与氢气的比例为1:1～3气氛中进行烧结，烧结温度为1200～1300℃，所述氮气与氢气的比例为体积比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110296847.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
