[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法无效
| 申请号： | 201110296815.5 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102446890A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 广田俊幸;清村贵利;两角友一朗;菱屋晋吾 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法。在电容器的电介质膜中，为了即使设置用于改善泄漏特性的Al掺杂层，也不能通过Al掺杂层截断电介质膜，从而抑制了尺寸效应的影响，提供结晶性良好的电介质膜，而在电介质膜中具有至少1层Al掺杂层，将Al掺杂层的1层的Al原子的表面密度设为不足1.4E+14[atoms/cm2]。另外，为实现其表面密度，而采用基于通常的ALD的电介质膜成膜、和吸附位阻断ALD法实现的Al添加的组合，该吸附位阻断ALD法在进行限制Al源的吸附位的阻滞剂分子的吸附后，吸附Al源，导入反应气体进行反应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 吸附 阻断 原子 沉积 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备在与下部电极及上部电极之间具有电介质膜的电容器，其中，所述电介质膜具有至少1层的Al掺杂层，该Al掺杂层的1层的Al原子的表面密度不足1.4E+14atoms/cm2。
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