[发明专利]三维纳米结构阵列有效
| 申请号： | 201110292904.2 | 申请日： | 2011-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103030106A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面，其中，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 结构 阵列 | ||
【主权项】：
一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面，其特征在于，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
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