[发明专利]三维纳米结构阵列

权利要求书

1.一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面，其特征在于，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

2.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构为一条形凸起结构，多个三维纳米结构在基底表面以直线、折线或曲线的形式并排延伸。

3.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向上的横截面的形状为M形。

4.如权利要求3所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述每一三维纳米结构中第一凸棱与第二凸棱最高点之间的距离小于该三维纳米结构的宽度。

5.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凸棱及第二凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。

6.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凸棱以及第二凸棱分别包括相交的棱面，所述棱面分别为平面、曲面或折面。

7.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凸棱与第二凸棱形成一对称结构。

8.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，任意两个相邻的三维纳米结构具有相同间距。

9.如权利要求8所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，相邻三维纳米结构之间的间距为0纳米～200纳米。

10.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构的宽度为100纳米～300纳米。

11.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述多个三维纳米结果呈一维阵列分布，所述三维纳米结构以同一周期或多个周期分布形成所述一维阵列，所述周期范围为100纳米～500纳米。

12.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凹槽与第二凹槽的延伸方向与所述第一凸棱或第二凸棱的延伸方向相同。

13.如权利要求12所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凹槽横截面的形状为V形。

14.如权利要求13所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米～120纳米。

15.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第二凹槽横截面的形状为V形或倒梯形。

16.如权利要求15所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第二凹槽的深度为100纳米～200纳米。

17.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构与所述基底为一体成型结构。

18.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述多个三维纳米结构围绕一中心呈圆弧形并排延伸形成一多个同心圆环结构。

19.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述多个三维纳米结构围绕一中心呈折线形并排延伸形成多个一同心回形型结构。

20.一种三维纳米结构阵列，其包括一基底，所述基底的一表面形成有多个第一凹槽及多个第二凹槽，在平行于基底表面的平面内，所述第一凹槽与第二凹槽并排延伸，在垂直于延伸方向上，所述第一凹槽与第二凹槽依次交替排列，其特征在于，所述第一凹槽深度小于第二凹槽的深度。

21.一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式设置于该基底至少一表面，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，多个三维纳米结构并排延伸，在其延伸方向上，所述三维纳米结构的横截面为M形。

22.一种三维纳米结构阵列，其特征在于，该三维纳米结构阵列包括一基底以及多个条形凸起结构相互平行地设置在所述基底的至少一表面，每个条形凸起结构具有一V形凹槽，所述V形凹槽的深度小于所述条形凸起结构的高度。