[发明专利]一种GaN-LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201110290772.X | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022311A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;薛念亮;唐勇;武胜利;李倩影;孙英博;闫晓红;刘伟 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN-LED芯片结构及其制备方法，在衬底和外延层之间形成反射层，在该反射层上形成周期分布的圆柱状图形。根据本发明制备的GaN-LED芯片同时解决晶体质量和出光效率的问题，可以提高LED芯片的发光效率10％-20％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN‑LED芯片结构，自下而上依次包括保护层、下反射层、第三粘附层、衬底、第一粘附层、上反射层、第二粘附层、缓冲层、N型GaN层和N型电极、多量子阱、P型GaN层和P型电极，其特征在于上反射层表面为周期圆柱状图形，圆柱直径为1微米到2.5微米，两圆柱间的距离为0.5微米到1.5微米，圆柱的高度为1微米到2微米。
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