[发明专利]一种GaN-LED芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN-LED芯片结构，自下而上依次包括保护层、下反射层、第三粘附层、衬底、第一粘附层、上反射层、第二粘附层、缓冲层、N型GaN层和N型电极、多量子阱、P型GaN层和P型电极，其特征在于上反射层表面为周期圆柱状图形，圆柱直径为1微米到2.5微米，两圆柱间的距离为0.5微米到1.5微米，圆柱的高度为1微米到2微米。

2.如权利要求1所述一种GaN-LED芯片结构，其特征在于上反射层的材料为Ag、Al或Au，厚度为2微米到6微米。

3.如权利要求1所述一种GaN-LED芯片结构，其特征在于第一粘附层和第三粘附层的材料为Ni、Cr或Ti，厚度为0.001微米到0.005微米。

4.如权利要求1所述一种GaN-LED芯片结构，其特征在于第二粘附层的材料为Ni、Cr或Ti，厚度为0.001微米到0.01微米。

5.如权利要求1所述一种GaN-LED芯片结构，其特征在于下反射层的材料为Ag、Al或Au，厚度为1微米到3微米。

6.如权利要求1所述一种GaN-LED芯片结构的制备方法包括如下步骤：

1)选用蓝宝石作为衬底，利用镀膜机依次蒸镀第一粘附层和上反射层；

2)利用光刻和ICP刻蚀方法将周期图形转移到上反射层上；ICP功率为2200W，RF功率为50W，腔体压力为100mTorr；

3)利用镀膜机蒸镀第二粘附层；

4)采用金属有机化学气相沉积方法生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；

5)刻蚀出电极图形，蒸镀电极材料，形成N、P电极；

6)利用镀膜机在衬底的背面依次蒸镀第三粘附层、下反射层和保护层；利用激光切割机从衬底的背面进行切割，得到单个的芯片。