[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110287826.7 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102568552A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 边相镇;金泰均 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有层叠的第一芯片和第二芯片的半导体装置，所述半导体装置包括：第一芯片的第一穿通线，第一芯片的第一穿通线被配置成接收第一编码信号，并与第二芯片的第一穿通线电连接；第一芯片的第二穿通线，第一芯片的第二穿通线被配置成接收第二编码信号；以及第二芯片的第二穿通线，第二芯片的第二穿通线被配置成与第一芯片的第一穿通线电连接，并接收第一编码信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有层叠的第一芯片和第二芯片的半导体装置，包括：所述第一芯片的第一穿通线，所述第一芯片的所述第一穿通线被配置成与所述第二芯片的第一穿通线电连接，并接收第一编码信号；所述第一芯片的第二穿通线，所述第一芯片的所述第二穿通线被配置成接收第二编码信号；以及所述第二芯片的第二穿通线，所述第二芯片的所述第二穿通线被配置成与所述第一芯片的所述第一穿通线电连接，并接收所述第一编码信号。
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