[发明专利]半导体装置无效
| 申请号: | 201110287826.7 | 申请日: | 2011-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN102568552A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 边相镇;金泰均 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种具有层叠的第一芯片和第二芯片的半导体装置,包括:
所述第一芯片的第一穿通线,所述第一芯片的所述第一穿通线被配置成与所述第二芯片的第一穿通线电连接,并接收第一编码信号;
所述第一芯片的第二穿通线,所述第一芯片的所述第二穿通线被配置成接收第二编码信号;以及
所述第二芯片的第二穿通线,所述第二芯片的所述第二穿通线被配置成与所述第一芯片的所述第一穿通线电连接,并接收所述第一编码信号。
2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括所述第二芯片的第三穿通线,所述第二芯片的所述第三穿通线被配置成与所述第一芯片的所述第二穿通线电连接,并接收所述第二编码信号。
3.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:
所述第一芯片的第三穿通线,所述第一芯片的所述第三穿通线被配置成接收第三编码信号;
第一芯片ID发生单元,所述第一芯片ID发生单元被配置成接收经由所述第一芯片的所述第一至第三穿通线传送来的信号,并产生第一芯片ID信号;以及
第二芯片ID发生单元,所述第二芯片ID发生单元被配置成接收经由所述第二芯片的所述第一至第三穿通线传送来的信号,并产生第二芯片ID信号。
4.如权利要求3所述的半导体装置,还包括:
主穿通线,所述主穿通线被配置成穿通所述第一芯片和所述第二芯片而电连接,并传送主ID信号。
5.如权利要求4所述的半导体装置,还包括:
第一芯片选择信号发生单元,所述第一芯片选择信号发生单元被配置成位于所述第一芯片中,并根据所述第一芯片ID信号是否与所述主ID信号匹配来产生用于激活所述第一芯片的第一芯片选择信号。
6.如权利要求5所述的半导体装置,还包括:
第二芯片选择信号发生单元,所述第二芯片选择信号发生单元被配置成位于所述第二芯片中,并根据所述第二芯片ID信号是否与所述主ID信号匹配来产生用于激活所述第二芯片的第二芯片选择信号。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一芯片的所述第一穿通线借助于设置在所述第一芯片上的第一再分配层而与所述第二芯片的所述第二穿通线电连接。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中,所述第一再分配层借助于金属线和凸块而与所述第二芯片的所述第二穿通线连接。
9.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一芯片的所述第二穿通线借助于设置在所述第一芯片上的第二再分配层而与所述第二芯片的所述第三穿通线连接。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其中,所述第二再分配层借助于金属线和凸块而与所述第二芯片的所述第三穿通线连接。
11.一种包括第一至第三芯片的半导体装置,所述第一至第三芯片每个都具有第一至第三穿通线,其中,
所述第一至第三芯片中的每个经由其第一穿通线接收第一编码信号,所述第一芯片的第二穿通线和第三穿通线分别传送第二编码信号和第三编码信号,以及
所述第二芯片的第二穿通线与所述第一芯片的第一穿通线和所述第三芯片的第三穿通线电连接,所述第二芯片的第三穿通线与所述第一芯片的第二穿通线电连接,而所述第三芯片的第二穿通线与所述第二芯片的第一穿通线电连接。
12.如权利要求11所述的半导体装置,还包括:
第一芯片ID发生单元,所述第一芯片ID发生单元被配置成接收经由所述第一芯片的所述第一至第三穿通线传送来的信号,并产生第一芯片ID信号;
第二芯片ID发生单元,所述第二芯片ID发生单元被配置成接收经由所述第二芯片的所述第一至第三穿通线传送来的信号,并产生第二芯片ID信号;以及
第三芯片ID发生单元,所述第三芯片ID发生单元被配置成接收经由所述第三芯片的所述第一至第三穿通线传送来的信号,并产生第三芯片ID信号。
13.如权利要求12所述的半导体装置,还包括:
主穿通线,所述主穿通线被配置成将所述第一至第三芯片电连接,并传送主ID信号。
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