[发明专利]晶片加工用带无效
| 申请号： | 201110286708.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103013365A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 佐野透;三原尚明;盛岛泰正 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成，基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 | ||
【主权项】：
一种晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜；并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层；上述基材膜由热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。
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