[发明专利]晶片加工用带无效
| 申请号： | 201110286708.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103013365A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 佐野透;三原尚明;盛岛泰正 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 | ||
1.一种晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜；并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层；上述基材膜由热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。
2.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂含有乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物经金属离子交联而成的离聚物树脂。
3.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂含有乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物经金属离子交联而成的离聚物树脂。
4.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂为低密度聚乙烯通过电子射线照射交联而成的树脂、或为超低密度聚乙烯通过电子射线照射交联而成的树脂。
5.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物通过电子射线照射交联而成的树脂。
6.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂的氯原子含量小于1质量％。
7.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：
(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；
(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将所述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体晶片的背面的工序；
(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；
(e)对上述半导体晶片的预定分割部分照射激光，在该晶片的内部形成由多光子吸收所致的改性区域的工序；
(f)对所述晶片加工用带进行扩张，从而将上述半导体晶片以及上述粘接剂层沿着截断线截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；
(g)通过使上述晶片加工用带的不与上述半导体芯片重叠的部分受热收缩来除去上述扩张工序中出现的松弛，从而保持该半导体芯片的间隔的工序；以及
(h)从晶片加工用带的粘附剂层拾取带有粘接剂层的上述半导体芯片的工序。
8.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：
(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；
(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将所述晶片加工用带的粘接剂层贴合至半导体晶片的背面的工序；
(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；
(e)从上述半导体晶片的表面沿着截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；
(f)对所述晶片加工用带进行扩张，从而按每个上述半导体芯片截断上述粘接剂层，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；
(g)通过使上述晶片加工用带的不与上述半导体芯片重叠的部分受热收缩来除去上述扩张工序中出现的松弛，从而保持该半导体芯片的间隔的工序；以及
(h)从晶片加工用带的粘附剂层拾取带有粘接剂层的上述半导体芯片的工序。
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