[发明专利]场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110285830.X | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103022084A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括：衬底；源极和漏极，其中之一形成于衬底上表面的凸起之上，另一个形成于凸起的侧下部的衬底中且其上表面与衬底的上表面齐平；栅极，形成于凸起与衬底上表面交接的位置处；栅极氧化层，形成于栅极与凸起之间、以及栅极与衬底的上表面之间。本发明提供的场效应晶体管为垂直结构，源极位于凸起的顶部，而漏极位于衬底中，源极和漏极不在同一平面内，因此，场效应晶体管的面积能够得到明显减小，从而提高集成电路的集成度，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；源极和漏极，其中之一形成于所述衬底上表面的凸起之上，另一个形成于所述凸起的侧下部的衬底中且其上表面与所述衬底的上表面齐平；栅极，形成于所述凸起与所述衬底上表面交接的位置处；栅极氧化层，形成于所述栅极与所述凸起之间、以及所述栅极与所述衬底的上表面之间。
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