[发明专利]场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

源极和漏极，其中之一形成于所述衬底上表面的凸起之上，另一个形成于所述凸起的侧下部的衬底中且其上表面与所述衬底的上表面齐平；

栅极，形成于所述凸起与所述衬底上表面交接的位置处；

栅极氧化层，形成于所述栅极与所述凸起之间、以及所述栅极与所述衬底的上表面之间。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述衬底中进一步形成有阱区，所述漏极或源极形成于所述阱区中。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，

在所述衬底中、所述栅极与所述衬底的上表面之间的栅极氧化层之下，还形成有与所述源极或漏极相连接的轻掺杂漏极注入区。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，

所述源极形成于所述衬底上表面的凸起之上；所述漏极形成于所述凸起的侧下部的衬底中且其上表面与所述衬底的上表面齐平；

在所述凸起的两侧对称形成有所述漏极，或在所述凸起的一侧形成有所述漏极。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述衬底为硅基衬底或锗基衬底，所述栅极为多晶硅栅极。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述衬底为n型掺杂或p型掺杂。

7.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A，通过构图工艺在衬底上形成凸起；

步骤B，在预设栅极与所述凸起之间、以及预设栅极与所述衬底的上表面之间形成栅极氧化层；

步骤C，在所述凸起与形成有所述凸起的衬底的上表面交接的位置处的栅极氧化层上形成栅极；

步骤D，在所述凸起之上形成所述场效应晶体管的源极或漏极中的其中之一；

步骤E，在所述衬底中、所述凸起的侧下部的衬底中形成所述场效应晶体管的漏极或源极中的另外一个，其上表面与所述衬底的上表面齐平。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

在所述步骤A之前，该方法还包括：通过掺杂在所述衬底上形成阱区；

所述步骤E包括，在所述阱区、所述凸起的侧下部处形成所述场效应晶体管的漏极或源极。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B之前，所述方法还包括：

在所述衬底中、所述场效应晶体管的栅极与所述衬底的上表面之间的栅极氧化层之下，形成与所述源极或漏极相连接的轻掺杂漏极注入区。

10.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤E包括：

在所述衬底中、所述凸起的两侧对称形成所述场效应晶体管的漏极或源极；或

在所述衬底中、所述凸起的一侧形成所述场效应晶体管的漏极或源极。