[发明专利]内部电压发生电路和半导体集成电路有效
| 申请号： | 201110285662.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102568563A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林嬉准 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路，包括：第一存储体组和第二存储体组；第一内部电压控制单元，第一内部电压控制单元被配置成产生在对第一存储体组中所包括的存储体执行第一读取操作或第一写入操作时被使能的第一使能脉冲；以及第一内部电压发生单元，所述第一内部电压发生单元被配置成响应于第一使能脉冲产生第一内部电压并将第一内部电压提供至第一存储体组，其中，第一使能脉冲的使能时间段被设置成在第一写入操作中比在第一读取操作中长。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 电压 发生 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包括：第一存储体组和第二存储体组；第一内部电压控制单元，所述第一内部电压控制单元被配置成产生在对所述第一存储体组中所包括的存储体执行第一读取操作或第一写入操作时被使能的第一使能脉冲；以及第一内部电压发生单元，所述第一内部电压发生单元被配置成响应于所述第一使能脉冲来产生第一内部电压并将所述第一内部电压提供至所述第一存储体组，其中，所述第一使能脉冲的使能时间段被设置成在所述第一写入操作中比在所述第一读取操作中长。
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