[发明专利]高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法

摘要

本发明公开了一种高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法，包括压机成型坯体、施底釉、布熔块干粒、喷固定剂、高温烧成以及抛光分选等步骤。本发明制备全抛釉瓷质砖只需一次烧成工艺，可以大幅度降低生产成本，节省能源，减少了废气的排放量，符合国家目前的绿色产业政策。

主权项

高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法，其特征是包括下列顺序的步骤：步骤1：利用压机成型坯体，所述坯体的烧成收缩率≤11％，坯体烧成温度在1180～1220℃；步骤2：在坯体上施底釉，底釉的厚度为0.15～0.25mm，所述底釉的开始烧结的温度≥1100℃；步骤3：在施好底釉的坯体上布30～80目的呈球形的熔块干粒，数量为3.0～4.0g/cm2，所述熔块的熔点≥1170℃，熔块的流动点≥1210℃；步骤4：喷上固定剂；步骤5：送入陶瓷窑中进行烧结，烧成时间为：室温～1000℃为35～40分钟，1000～1180℃为7～10分钟，1180～1220℃为6～8分钟，1220～200℃为34～36分钟；步骤6：进行抛光与分选。