[发明专利]高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种全抛釉瓷质砖的制备方法，具体是涉及一种高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法。

背景技术

目前生产微晶复合砖和全抛釉砖都采用两次烧成工艺。首先，将坯体素烧或在坯体上施底釉和印花后素烧，使坯体瓷化、吸水率≤0.1％；其次，在坯体上布30～80目的微晶熔块或透明干粒，再进行釉烧；最后进行抛光与分选。该生产过程由于先经过素烧，后釉烧，通常简称为二次烧成。由于二次烧成工艺多一次烧成过程，因此能耗高、人工工时多、生产用地和厂房占地大，生成成本高；同时也增加了产品的破损和由此而产生的产品缺陷。此外，由于素烧后的坯体已经完全瓷化，在釉烧时，瓷坯不能承受快速升温，否则坯体会因快速升温而开裂，一般釉烧时间在2.5小时左右，而一次烧成只需1.5小时左右，从这方面来讲，一次烧成可以进一步降低生产成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种降低生产成本、减少废气排放量的高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法，包括下列顺序的步骤：

步骤1：利用压机成型坯体，所述坯体的烧成收缩率≤11％，坯体烧成温度在1180～1220℃；

步骤2：在坯体上施底釉，底釉的厚度为0.15～0.25mm，所述底釉的开始烧结的温度≥1100℃；

步骤3：在施好底釉的坯体上布30～80目的呈球形的熔块干粒，数量为3.0～4.0g/cm²，所述熔块的熔点≥1170℃，熔块的流动点≥1210℃；

步骤4：喷上固定剂；

步骤5：送入陶瓷窑中进行烧结，烧成时间为：室温～1000℃为35～40分钟，1000～1180℃为7～10分钟，1180～1220℃为6～8分钟，1220～200℃为34～36分钟；

步骤6：进行抛光与分选。

作为上述技术方案的改进，所述熔块的组分及重量比例为：SiO₂55～68，Al₂O₃13～19.5，KNaO 3～8，CaO 2～15，MgO 0～2，ZnO 0～4，B₂O₃3～7，BaO 0～4。

作为上述技术方案的另一改进，所述熔块的组分及重量比例为：SiO₂55～71，Al₂O₃3～4.3，KNaO 6～7，CaO 4～15，MgO 0～6，ZnO2～6，B₂O₃1～10，BaO 0～8。

本发明的有益效果是：利用本发明制备全抛釉瓷质砖只需一次烧成工艺，可以大幅度降低生产成本，节省能源，且减少了废气的排放量，减轻了对环境的污染，符合国家目前的绿色产业政策。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明进一步说明。

实施例1：

首先，按重量百分比取23％的新会泥、25％的江门砂、8％的清远铝砂、25％的河源钠石粉、10％的惠州砂、8％的新丰石粉、1％的黑石粉制成坯体原料，用压机成型600mm×600mm的坯体。该坯体的烧成温度为1220℃，烧成后的收缩率为11％，烧成后坯体的膨胀系数在8.0～9.2×10^-6(20～600℃)之间，烧成后坯体的吸水率≤0.1％。

其次，在坯体上施底釉，底釉的厚度为0.15～0.25mm。所施底釉是按重量百分比取35％的钠长石、15％的方解石、10％的烧滑石、2％的烧ZnO、7％硅酸锆、13％的氧化铝、3％的石英、5％的烧高岭土、5％的气刀土、5％的透明熔块制成的，其开始烧结的温度为1160℃，烧成后底釉的膨胀系数在7.8～9.4×10^-6(20～600℃)之间。

然后，利用丝网印花或滚筒印花或喷墨打印进行装饰。