[发明专利]JFET晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110284618.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299183A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种JFET晶体管及其形成方法，所述JFET晶体管包括：半导体衬底；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；第二掺杂类型的栅极注入区，位于所述外延层中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区，分别位于所述栅极注入区两侧的外延层中；第一掺杂类型的阱区，位于所述外延层中，所述栅极注入区位于所述阱区内。本发明有利于改善JFET晶体管的夹断电压的漂移范围。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种JFET晶体管，包括：半导体衬底；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；第二掺杂类型的栅极注入区，位于所述外延层中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区，分别位于所述栅极注入区两侧的外延层中；其特征在于，还包括：第一掺杂类型的阱区，位于所述外延层中，所述栅极注入区位于所述阱区内。
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