[发明专利]JFET晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110284618.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299183A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | jfet 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种JFET晶体管，包括：
半导体衬底；
第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；
第二掺杂类型的栅极注入区，位于所述外延层中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；
第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区，分别位于所述栅极注入区两侧的外延层中；
其特征在于，还包括：
第一掺杂类型的阱区，位于所述外延层中，所述栅极注入区位于所述阱区内。
2.根据权利要求1所述的JFET晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度高至少1个数量级。
3.根据权利要求2所述的JFET晶体管，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度为1E14/cm3至1E15/cm3。
4.根据权利要求1所述的JFET晶体管，其特征在于，还包括：
第二掺杂类型的顶层掺杂区，位于所述阱区与所述源极引出区和/或漏极引出区之间的外延层中。
5.根据权利要求1所述的JFET晶体管，其特征在于，还包括：
第二掺杂类型的栅极引出区，位于所述栅极注入区内。
6.一种JFET晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的表面上形成第一掺杂类型的外延层；
对所述外延层进行离子注入，以在其中形成第一掺杂类型的阱区；
对所述阱区进行离子注入，以在其中形成第二掺杂类型的栅极注入区，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；
对所述阱区两侧的外延层进行离子注入，以分别形成第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区。
7.根据权利要求6所述的JFET晶体管的形成方法，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度高至少1个数量级。
8.根据权利要求7所述的JFET晶体管的形成方法，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度为1E14/cm3至1E15/cm3。
9.根据权利要求6所述的JFET晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：
对所述外延层进行离子注入，以在所述阱区与所述源极引出区和/或漏极引出区之间的外延层中形成第二掺杂类型的顶层掺杂区。
10.根据权利要求6所述的JFET晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：
对所述栅极注入区进行离子注入，以在其中形成第二掺杂类型的栅极引出区。
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