[发明专利]一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度方法无效
| 申请号： | 201110282433.7 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103018646A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 崔小乐;李崇仁;程伟;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度的方法，利用测试模式下芯片所产生的高热量对芯片进行加热，以电路节点功耗为导向的，通过选择不同温控能力的测试矢量，控制各测试矢量的施加时间，从而控制电路模块或SoC芯片的测试温度，并控制WLTBI测试持续时间；通过优化电路测试路径，安排测试数据在不同测试路径上的发送时序，从而增强测试并行性，减少测试时间。本发明可以根据测试要求，在同一测试架构下灵活配置测试方案，可达提高老化测试的精确性和减少测试成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 soc 芯片 晶圆级 高温 老化 测试 调度 方法 | ||
【主权项】：
一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度方法，其特征在于，包括：(1)通过选择不同温控能力的测试矢量，控制各测试矢量的施加时间，从而控制电路模块或SoC芯片的测试温度，并控制WLTBI测试持续时间。(2)通过电路测试结构优化，安排测试数据在不同测试路径上的发送时序，从而增强测试并行性，减少测试时间。(3)基于三维装箱模型的测试调度方案，利用智能算法进行调度优化。
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