[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110280628.8 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021850A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜；去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜，而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁，使得后续工艺中对该相互对应的侧壁进行常规操作变得易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制作方法，该方法包括：a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成绝缘层(101)、以及在该绝缘层(101)上形成半导体基底(102)；b)在所述半导体基底(102)上形成牺牲层(200)、以及环绕所述牺牲层(200)的侧墙(201)，并以该所述侧墙(201)为掩膜刻蚀所述半导体基底(102)，形成半导体基体(103)；c)在所述半导体基体(103)的侧壁上形成绝缘膜(300)；d)去除所述牺牲层(200)、以及位于所述牺牲层(200)下方的所述半导体基体(103)，形成第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
