[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

在半导体技术中，围绕如何实现全耗尽型器件的整体构思，研发的重心转向立体型器件结构。立体型器件结构是在绝缘体上硅(SOI)上形成半导体鳍片(用于形成沟道)，在半导体鳍片的中间形成沟道区、在半导体鳍片的侧壁形成栅极以及在半导体鳍片的两端形成源/漏区。

当前，立体型器件结构已出现双鳍结构，即，在SOI上形成两个平行的半导体鳍片，并将两个平行的半导体鳍片作为鳍形沟道形成两个独立的半导体器件，其中，两个半导体鳍片的相互背离的侧壁上形成有各自的栅极，而两个半导体鳍片相互对应的侧壁则被暴露出来。

如果希望对两个半导体鳍片所暴露的侧壁进行工艺处理，则需要首先使用例如光刻胶等材料将所述两个半导体鳍片相互背离的侧壁覆盖起来进行保护，但是，由于半导体鳍片的厚度通常都非常薄，精确地覆盖两个半导体鳍片相互背离的侧壁，从工艺上来说，存在一定的难度。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上形成氧化膜，而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁，使得在后续工艺中，便于对该相互对应的侧壁进行常规操作。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，该方法包括：

a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；

b)在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；

c)在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜；

d)去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、位于该衬底之上的绝缘层、以及位于该绝缘层之上的半导体鳍片，其中：

所述半导体鳍片包括相互平行的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；以及

在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜。

其中上述的“平行”为在半导体制造领域所能达到的误差范围内的基本平行。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：形成了具有双鳍的半导体结构，且在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜，而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁，使得在后续工艺中，便于对该相互对应的侧壁进行常规操作。此外，与传统工艺中利用光刻胶覆盖两个鳍片相互背离的侧壁的方法相比，本发明所提供的方法工艺简单，易于操作。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为根据本发明的半导体结构制造方法的流程图；以及

图2至图8为根据本发明的一个优选实施例按照图1所示流程制造半导体结构的各个阶段的剖面示意图。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施例作详细描述。

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触，本文内所述的各种结构之间的相互关系包含由于工艺或制程的需要所作的必要的延展，例如，术语“垂直”意指两平面之间的夹角与90°之差在工艺或制程允许的范围内。