[发明专利]设有背面保护膜的半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110279633.7 申请日: 2011-09-20
公开(公告)号: CN102420195A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 小六泰辅 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/304
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置,在半导体晶片(21)的下表面形成的由树脂构成的背面保护膜(3)的与切割道(22)的宽度方向中央部对应的部分,通过照射激光束的激光加工,形成开口部(23)。接着,使用树脂切削用的刀(27),对与切割道(22)及其两侧对应的部分中的由树脂构成的密封膜(13)及半导体晶片(21)的上表面侧进行切削,形成槽(28)。接着,使用硅切削用的刀,对与切割道(22)对应的部分中的半导体晶片(21)及背面保护膜(3)进行切削。该情况下,由硅切削用的刀造成的对背面保护膜(3)的切削减少与开口部(23)对应的量,能够降低刀的堵塞的风险,并抑制半导体晶片的切削面的缺陷发生。并且,能够大幅降低该刀的树脂堵塞的风险,由此增长该刀的寿命。
搜索关键词: 设有 背面 保护膜 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:半导体基板;密封膜,设置在上述半导体基板的一面侧;以及背面保护膜,设置在上述半导体基板的另一面侧的至少除了外缘部以外。
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